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Sistema de heteroestrutura sobre isolante de três camadas para FET no regime nanométrico

Sistema de heteroestrutura sobre isolante de três camadas para FET no regime nanométrico

Khiangte, Lalthanpuii
Dhar, Rudra Sankar

Paperback

Technology & Engineering

ISBN10: 6630457927
ISBN13: 9786630457926
Publisher: Edicoes Nosso Conhecimento
Published: Oct 1 2026
Pages: 84
Weight: 0.27
Height: 0.20 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: Portuguese
O livro aborda o desenvolvimento de uma nova estrutura no sistema de nanomateriais, com um sistema tecnológico de heteroestrutura de três camadas para aplicação em dispositivos MOS. Foi desenvolvida e implementada uma tecnologia de sistema de canal tensionado, com camadas como Si tensionado/SiGe tensionado/Si tensionado a nível molecular, acompanhada de um estudo e análise detalhados do efeito da tensão no mecanismo de alinhamento de bandas do Tipo II, inserido na camada fina do canal de um FET. Estabelecendo-se, assim, o desenvolvimento do sistema de heteroestrutura em isolante (HOI) de três camadas. Ao incorporar este sistema de canal HOI num MOSFET convencional, o desempenho dos dispositivos foi analisado com base em parâmetros elétricos, efeito de tensão de banda, campo elétrico, ultrapassagem de velocidade, mobilidade e outros. Observa-se uma mobilidade de eletrões extensa relacionada com o aumento de portadores, levando a uma corrente de dreno superior, tendo-se assim alcançado um aumento de desempenho de 93% em comparação com os MOSFETs de Si/SiGe tensionado existentes com comprimento de porta de 50 nm, para o NanoFET HOI com comprimento de canal de 30 nm.

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