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Die Grundlagen von dreischichtigen HOI-MOSFETs im Nanobereich

Die Grundlagen von dreischichtigen HOI-MOSFETs im Nanobereich

Paperback

Technology & Engineering

ISBN10: 620984295X
ISBN13: 9786209842955
Publisher: Verlag Unser Wissen
Published: Apr 3 2026
Pages: 88
Weight: 0.28
Height: 0.21 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: German
Dieses Buch konzentriert sich auf die Entwicklung einer neuartigen Struktur, mit der ein Bauelement mit zwei verspannten Si-Schichten im Kanalbereich gebildet werden kann, das ein dreischichtiges Nano-MOS-System mit verspannter Kanal-Heterostruktur auf Isolator (HOI) bildet, das zur Bildung eines NanoFET eingesetzt werden kann. Der auf NanoFET basierende Heterostrukturkanal, der aus mobilitätsangereicherten doppelten verspannten Si-Schichten besteht, die das verspannte SiGe dazwischen einschlie en, erhöht die Elektronenmobilität im Vergleich zu einem herkömmlichen MOSFET mit s-Si auf entspanntem SiGe-Kanal erheblich, was zu einer verbesserten Leistung des Bauelements führt, ohne dass eine zusätzliche Skalierung vorgenommen werden muss.

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