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I fondamenti del MOSFET HOI a tre strati in regime nanometrico

I fondamenti del MOSFET HOI a tre strati in regime nanometrico

Paperback

Technology & Engineering

ISBN10: 6209850634
ISBN13: 9786209850639
Publisher: Edizioni Sapienza
Published: Apr 3 2026
Pages: 88
Weight: 0.28
Height: 0.21 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: Italian
Questo libro si concentra sullo sviluppo di una struttura innovativa che può essere utilizzata per formare un dispositivo con due strati di Si teso nella regione del canale, formando un sistema nano-MOS a canale teso a tre strati su isolante (HOI), che può essere implementato per formare un NanoFET. L'eterostruttura di canale basata su NanoFET, costituita da doppi strati di Si forzati arricchiti in mobilità e da un canale di SiGe forzato, migliora significativamente la mobilità degli elettroni rispetto al dispositivo convenzionale di MOSFET a canale di SiSi su SiGe rilassato, portando a un miglioramento delle prestazioni del dispositivo senza implementare alcuno scaling aggiuntivo.

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