• Open Daily: 10am - 10pm
    Alley-side Pickup: 10am - 7pm

    3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
    612-822-4611

Open Daily: 10am - 10pm | Alley-side Pickup: 10am - 7pm
3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
612-822-4611
Podstawy trójwarstwowych tranzystorów MOSFET HOI w nano-reżimie

Podstawy trójwarstwowych tranzystorów MOSFET HOI w nano-reżimie

Paperback

Technology & Engineering

ISBN10: 6209853196
ISBN13: 9786209853197
Publisher: Wydawnictwo Nasza Wiedza
Published: Apr 3 2026
Pages: 88
Weight: 0.28
Height: 0.21 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: Polish
Niniejsza książka koncentruje się na opracowaniu nowatorskiej struktury, która może byc stosowana w korporacjach do tworzenia urządzeń z dwiema naprężonymi warstwami Si w obszarze kanalu, tworząc trójwarstwową naprężoną heterostrukturę kanalu na izolatorze (HOI) nano-MOS, która może byc zaimplementowana w celu utworzenia NanoFET. Kanal heterostrukturalny oparty na NanoFET skladający się z podwójnie naprężonych warstw Si o zwiększonej mobilności, pomiędzy którymi znajduje się naprężony SiGe, znacznie zwiększa mobilnośc elektronów w porównaniu do konwencjonalnego urządzenia MOSFET z Si-Si na zrelaksowanym kanale SiGe, co prowadzi do poprawy wydajności urządzenia bez konieczności dodatkowego skalowania.

Also from

Khiangte, Lalthanpuii

Also in

Technology & Engineering