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Principes fondamentaux du MOSFET HOI à trois couches en régime nanométrique

Principes fondamentaux du MOSFET HOI à trois couches en régime nanométrique

Paperback

Technology & Engineering

ISBN10: 6209848079
ISBN13: 9786209848070
Publisher: Editions Notre Savoir
Published: Apr 9 2026
Pages: 88
Weight: 0.28
Height: 0.21 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: French
Ce livre se concentre sur le développement d'une nouvelle structure qui peut être utilisée en entreprise pour former un dispositif avec deux couches de Si déformées dans la région du canal formant un système nano-MOS à canal déformé tri-couche sur isolant (HOI), qui peut être mis en oeuvre pour former un NanoFET. Le canal à hétérostructure basé sur le NanoFET, constitué de couches de Si doublement déformées et enrichies en mobilité, prenant en sandwich le SiGe déformé entre les deux, améliore de manière significative la mobilité des électrons par rapport au dispositif conventionnel de MOSFET à canal s-Si sur SiGe détendu, ce qui conduit à une amélioration des performances du dispositif sans mise en oeuvre d'une mise à l'échelle additionnelle.

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