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Sistema a eterostruttura su isolante a tre strati per FET nel regime nanometrico

Sistema a eterostruttura su isolante a tre strati per FET nel regime nanometrico

Paperback

Technology & Engineering

ISBN10: 6630493753
ISBN13: 9786630493757
Publisher: Edizioni Sapienza
Published: Oct 1 2026
Pages: 84
Weight: 0.27
Height: 0.20 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: Italian
Il libro tratta lo sviluppo di una nuova struttura nel sistema dei nanomateriali, basata su una tecnologia a eterostruttura a tre strati, destinata all'implementazione nei dispositivi MOS. È stata sviluppata e avviata una tecnologia basata su un sistema a canale sotto tensione, con strati quali Si sotto tensione/SiGe sotto tensione/Si sotto tensione a livello molecolare, accompagnata da uno studio dettagliato e dall'analisi dell'effetto di deformazione per il meccanismo di allineamento di banda di tipo II inserito nello strato sottile del canale di un FET. Si è così posto le basi per lo sviluppo del sistema di eterostruttura a tre strati su isolante (HOI). Incorporando questo sistema di canale HOI nel MOSFET standard, le prestazioni dei dispositivi sono state analizzate sulla base di parametri elettrici, effetto di deformazione della banda, campo elettrico, overshoot di velocità, mobilità e altri fattori. Si osserva un'ampia mobilità degli elettroni correlata all'aumento dei portatori, che porta a una corrente di drain superiore; si ottiene così un miglioramento delle prestazioni del 93% rispetto agli attuali MOSFET in Si/SiGe sotto tensione con lunghezza del gate di 50 nm, per il NanoFET HOI con lunghezza del canale di 30 nm.

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