Open Daily: 10am - 10pm | Alley door pickup 10am - 7pm 3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
612-822-4611

  • Open Daily: 10am - 10pm
    Alley-side Pickup: 10am - 7pm

    3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
    612-822-4611

Open Daily: 10am - 10pm | Alley-side Pickup: 10am - 7pm
3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
612-822-4611
Valutazione delle prestazioni dell'architettura SRAM 3D con TSV coassiale

Valutazione delle prestazioni dell'architettura SRAM 3D con TSV coassiale

Prasath, R. Arun
Divya, S. L.

Paperback

Technology & Engineering

ISBN10: 6209286801
ISBN13: 9786209286803
Publisher: Edizioni Sapienza
Published: Nov 18 2025
Pages: 72
Weight: 0.24
Height: 0.17 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: Italian
L'impilamento 3D dei dispositivi logici e di memoria è essenziale per mantenere valida la legge di Moore. Nell'integrazione 3D, i dispositivi di memoria possono essere impilati sopra i processori. L'architettura di memoria 3D basata su TSV consente il riutilizzo dei die logici con più livelli di memoria. La memoria 3D convenzionale soffre di overhead in termini di velocità, potenza e rendimento a causa del grande carico parassita del TSV e delle variazioni PVT tra i livelli. Al fine di superare queste limitazioni, questo documento introduce il progetto fisico di un'architettura semi master-slave (SMS) di SRAM 3D che fornisce un'interfaccia logica-SRAM a carico costante tra vari livelli impilati e un'elevata tolleranza alle variazioni PVT tra i livelli. Lo schema SMS è combinato con un TSV differenziale auto-temporizzato (STDT) che impiega uno schema di tracciamento del carico TSV per ottenere una piccola oscillazione di tensione TSV per sopprimere i sovraccarichi di potenza e velocità della comunicazione del segnale TSV cross-layer derivanti da grandi carichi parassiti TSV nei progetti UMCP con livelli impilati scalabili e IO ampio. Ciò fornisce una piattaforma di capacità di memoria universale.

Also from

Prasath, R. Arun

View All

Also in

Technology & Engineering

View All