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FET DG com tripla deformação e heteroestrutura para nanotecnologia

FET DG com tripla deformação e heteroestrutura para nanotecnologia

Kumar, Kuleen
Dhar, Rudra Sankar

Paperback

Technology & Engineering

ISBN10: 663045538X
ISBN13: 9786630455380
Publisher: Edicoes Nosso Conhecimento
Published: Oct 1 2026
Pages: 100
Weight: 0.32
Height: 0.24 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: Portuguese
O livro aborda o desenvolvimento e a análise de desempenho de FETs com heterostrutura tensionada sobre isolante (SHI) de porta dupla para vários nós tecnológicos. Inicialmente, é apresentado um FET com comprimento de canal de 22 nm que incorpora a tecnologia de sistema tensionado de três camadas na região do canal. Isto dá origem a camadas ultrafinas que favorecem o confinamento quântico de portadores, mas, para satisfazer as exigências do dispositivo, o comprimento do canal é reduzido para 14 nm e, subsequentemente, é aplicado o conceito de tecnologia de sobreposição para reduzir os SCEs esperados no canal HOI tensionado do NanoFET. O comprimento de sobreposição varia entre 1 nm e 8 nm, sendo investigado quanto ao efeito quase-balístico e à redução das SCEs. Com uma redução adicional do canal para 10 nm, é desenvolvido o DG NanoFET, o que conduz a um aumento de 40,3 % em comparação com o FET DG de 10 nm existente em nanoescala. O DG NanoFET, baseado na tecnologia de canal com tripla tensão, pode ser utilizado como bloco de construção elementar para aplicações com desempenho amplificado em circuitos VLSI para RF e comutação ultrarrápida para chips de processadores rápidos de tecnologias futuras.

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