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Miglioramento delle prestazioni delle SRAM FINFET utilizzando diversi materiali per i gate

Miglioramento delle prestazioni delle SRAM FINFET utilizzando diversi materiali per i gate

Vijaykumar, Seethalakshmi
Murugesan, Manikandan
Govindarajan, Saranya

Paperback

Technology & Engineering

ISBN10: 6207969332
ISBN13: 9786207969333
Publisher: Edizioni Sapienza
Published: Aug 21 2024
Pages: 56
Weight: 0.21
Height: 0.13 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: Italian
Questo libro descrive il concetto di progettazione di SRAM nelle tecnologie FinFET utilizzando le caratteristiche uniche dei dispositivi a doppia griglia non planari. Viene esplorato lo spazio dei parametri richiesto per la progettazione dei FinFET. Verranno presentate diverse tecniche di progettazione di SRAM che sfruttano i vantaggi delle configurazioni a gate vincolato e a gate indipendente. Le prestazioni, la potenza e la stabilità delle SRAM per i dispositivi FinFET sono confrontate con le controparti CMOS planari convenzionali. Verrà inoltre presentata la modellazione della variabilità dei FinFET attraverso le statistiche. Il dispositivo MOSFET è stato confrontato sia con il poli-silicio che con il molibdeno come materiale di gate e il dispositivo FinFET è stato progettato con diversi materiali di gate come oro, tungsteno, tantalio e molibdeno e i risultati sono stati confrontati con i dispositivi con materiale di gate in poli-silicio.

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