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Konzipierung eines alternativen Designs für einen Hochvolt-Operationsverstärker: Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau e

Konzipierung eines alternativen Designs für einen Hochvolt-Operationsverstärker: Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau e

Paperback

Technology & Engineering

ISBN10: 3842899858
ISBN13: 9783842899858
Publisher: Diplomica Verlag
Published: Jul 23 2013
Pages: 120
Weight: 0.49
Height: 0.25 Width: 7.00 Depth: 10.00
Language: German
Da auf der Basis von Silizium nur aufwändig konstruierte, teurere hybride Operationsverstärker mit gleichzeitig gutem Hochfrequenzverhalten und hoher Ausgangsspannung und hohem Ausgangsstrom verfügbar sind, wurde in dieser Studie eine Schaltung entworfen, mit der sich relativ einfach und kostengünstig entweder rein mit Silizium-basierten Bauteilen oder auch unter Verwendung von Galliumnitrid-Bauteilen in der Endstufe Hochvolt-Operationsverstärker realisieren lassen. Die Eignung von Galliumnitrid-basierten Transistoren für den Aufbau eines Hochleistungs-Operationsverstärkers konnte sowohl in Simulationen als auch anhand der Charakterisierung der konzipierten Schaltung nach deren Aufbau auf einer Leiterplatte nachgewiesen werden. Die Messergebnisse bestätigten, die durch die Simulationen vorhergesagten Werte für die Verstärkung, während die gemessenen Verstärkungsbandbreiten erwartungsgemä aufgrund von parasitären Kapazitäten hinter den Werten aus den Simulationen zurückblieben. Mit dem im Rahmen dieser Studie erstellten Schaltungskonzept wurde eine experimentell verifizierte Grundlage für weitere Arbeiten zum Aufbau eines vollständig Galliumnitrid-basierten Operationsverstärkers geschaffen.

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