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Fundamentals of III-V Devices

Fundamentals of III-V Devices

Hardcover

Technology & Engineering

ISBN10: 0471297003
ISBN13: 9780471297000
Publisher: John Wiley & Sons
Published: Mar 24 1999
Pages: 520
Weight: 1.85
Height: 1.20 Width: 6.46 Depth: 9.66
Language: English
HBT-Transistoren, die sich durch Schnelligkeit und geringen Stromverbrauch auszeichnen, sind herkömmlichen bipolaren Silicium-Transistoren weit überlegen. Sie eignen sich ideal für drahtlose Kommunikation und Mobiltelephonie und werden daher gegenwärtig intensiv erforscht. Diese Einführung ist so verständlich formuliert, da der Leser keinerlei Vorkenntnisse der Bauelementephysik benötigt. Geboten wird auch neues Material zu Feldeffekttransistoren. (04/99)

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