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Simulation monte carlo de mosfet pour une électronique haute fréquence

Simulation monte carlo de mosfet pour une électronique haute fréquence

Shi-M

Paperback

Series: Omn.Univ.Europ.

Literary CriticismTechnology & Engineering

ISBN10: 6131595933
ISBN13: 9786131595936
Publisher: Ed Universitaires Europeennes
Published: Feb 28 2018
Pages: 224
Weight: 0.74
Height: 0.51 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: French
Le rendement consommation/fréquence des futures générations de circuits intégrés sur silicium n'est pas satisfaisant à cause de la faible mobilité électronique et des relativement grandes tensions d'alimentation VDD requises. Ce travail se propose d'explorer numériquement les potentialités des transistors à effet de champ (FET) à base de matériaux III-V pour un fonctionnement en haute fréquence et une ultra basse consommation.Tout d'abord, l'étude consiste à analyser théoriquement le fonctionnement d'une capacité MOS III-V en résolvant de façon auto-cohérente les équations de Poisson et Schrödinger (PS). On peut ainsi comprendre comment et pourquoi les effets extrinsèques comme les états de pièges à l'interface high-k/III-V dégradent les caractéristiques intrinsèques. Nous avons ensuite étudié plus en détails les performances des MOSFET III-V en régimes statiques et dynamiques sous faible VDD, à l'aide du simulateur particulaire MONACO de type Monte Carlo. Les caractéristiques de quatre topologies de MOSFET ont été quantitativement étudiées en termes de rendement fréquence/consommation et de bruit. Nous en tirons des conclusions sur l'optimisation de ces dispositifs.

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