• Open Daily: 10am - 10pm
    Alley-side Pickup: 10am - 7pm

    3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
    612-822-4611

Open Daily: 10am - 10pm | Alley-side Pickup: 10am - 7pm
3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
612-822-4611
Projektowanie elementów opartych na GaN i ich zastosowanie w antenach dużej mocy

Projektowanie elementów opartych na GaN i ich zastosowanie w antenach dużej mocy

Paperback

Physics

ISBN10: 6630078322
ISBN13: 9786630078329
Publisher: Wydawnictwo Nasza Wiedza
Published: Sep 14 2026
Pages: 172
Weight: 0.52
Height: 0.40 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: Polish
W niniejszej pracy wykazano możliwośc wykorzystania technologii azotku galu (GaN) w rekonfigurowalnych systemach RF. Diody waraktory i obwody przelączające oparte na GaN są rozpatrywane jako obiecujące rozwiązania do zastosowań o dużej mocy i wysokiej częstotliwości. Pierwsza częśc poświęcona jest opracowaniu aktywnych urządzeń GaN. Elementy aktywne zostaly zrealizowane przy użyciu procesu produkcji tranzystorów HEMT GaN opracowanego przez Kanadyjską Radę Badań Naukowych (NRC). W oparciu o trzy procesy technologiczne, takie jak GaN150v0 (dlugośc bramki 0,15 m), GaN500v1 oraz GaN500v2 (oba o dlugości bramki 0,5 m), wyprodukowano wiele diod waraktowych o różnych rozmiarach, które scharakteryzowano za pomocą pomiarów prądu stalego oraz sygnalów malych i dużych o częstotliwości radiowej. Następnie diody waraktory zostaly zamodelowane za pomocą równań analitycznych zawierających wspólczynniki empiryczne. Wyrażenia te zostaly po raz pierwszy wprowadzone w odniesieniu do zależności od napięcia pojemności równoważnej (CEq) oraz rezystancji szeregowej (REq) i mogą slużyc jako ogólny model opisujący nieliniowe zachowanie waraktorów opartych na GaN. W przypadku pracy w trybie malosygnalowym wszystkie opracowane równania opisujące REq i CEq zależą wylącznie od napięcia polaryzacji i geometrii urządzenia.

Also in

Physics