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Entwicklung von GaN-basierten Bauelementen und deren Einsatz in Hochleistungsantennen

Entwicklung von GaN-basierten Bauelementen und deren Einsatz in Hochleistungsantennen

Paperback

Physics

ISBN10: 6630291204
ISBN13: 9786630291209
Publisher: Verlag Unser Wissen
Published: Sep 14 2026
Pages: 172
Weight: 0.52
Height: 0.40 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: German
Diese Arbeit zeigt die Machbarkeit des Einsatzes der Galliumnitrid (GaN)-Technologie in rekonfigurierbaren HF-Systemen auf. GaN-basierte Varaktordioden und Schaltkreise werden als vielversprechende Kandidaten für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen untersucht. Der erste Teil widmet sich der Entwicklung aktiver GaN-Bauelemente. Aktive Komponenten wurden unter Verwendung des GaN-HEMT-Prozesses des kanadischen National Research Council (NRC) realisiert. Auf der Grundlage von drei Prozessen - nämlich GaN150v0 (Gate-Länge 0,15 m), GaN500v1 und GaN500v2 (beide mit einer Gate-Länge von 0,5 m) - wurden zahlreiche Varaktordioden unterschiedlicher Grö e hergestellt und mittels Gleichstrom- sowie HF-Klein- und Gro signalmessungen charakterisiert. Anschlie end wurden die Varaktordioden durch analytische Gleichungen modelliert, die empirische Koeffizienten enthalten. Diese Ausdrücke wurden erstmals für die Spannungsabhängigkeit der äquivalenten Kapazität (CEq) und des Serienwiderstands (REq) eingeführt und können als allgemeines Modell zur Darstellung des nichtlinearen Verhaltens von Varaktoren auf GaN-Basis verwendet werden. Im Kleinsignalbetrieb sind alle entwickelten Gleichungen, die REq und CEq beschreiben, ausschlie lich von der Vorspannung und der Bauelementgeometrie abhängig.

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