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Estudo das propriedades optoelectrónicas das ligas HfxSi1-xO2

Estudo das propriedades optoelectrónicas das ligas HfxSi1-xO2

Paperback

General Law

ISBN10: 6208969069
ISBN13: 9786208969066
Publisher: Edicoes Nosso Conhecimento
Published: Jun 17 2025
Pages: 68
Weight: 0.23
Height: 0.16 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: Portuguese
Neste trabalho, estudámos a estabilidade dinâmica, as propriedades estruturais, eletrónicas e termoelétricas das ligas do tipo HfxSi1-xO2, utilizando o método das ondas planas aumentadas linearizadas com um potencial total (FP-LAPW) no âmbito da teoria da funcional da densidade (DFT) implementada no código Wien2k. O potencial de troca e correlação foi tratado por diferentes aproximações, como GGA. Os resultados eletrónicos que obtivemos mostraram que o HfSi3O8 possui um caráter semicondutor com um gap direto igual a 3,909 eV, utilizando a aproximação GGA. Para os compostos HfSiO4 e Hf3SiO8, os resultados do estudo da estrutura de banda mostram que ambos os compostos são semicondutores com uma lacuna indireta com valores de previsão iguais a 7,2 eV e 5,2 eV para HfSiO4 e Hf3SiO8, respetivamente. As propriedades termoelétricas e a estabilidade dinâmica obtidas indicam que estes compostos são muito rígidos, indeformáveis e altamente ordenados.

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