• Open Daily: 10am - 10pm
    Alley-side Pickup: 10am - 7pm

    3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
    612-822-4611

Open Daily: 10am - 10pm | Alley-side Pickup: 10am - 7pm
3038 Hennepin Ave Minneapolis, MN
612-822-4611
Charakterystyka elektroniczna i optyczna trójskladnikowego stopu

Charakterystyka elektroniczna i optyczna trójskladnikowego stopu

Paperback

Physics

ISBN10: 6630027841
ISBN13: 9786630027846
Publisher: Wydawnictwo Nasza Wiedza
Published: Jun 4 2026
Pages: 80
Weight: 0.26
Height: 0.19 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: Polish
W niniejszej rozprawie przeprowadziliśmy teoretyczne badania stopów pólprzewodników III-V w fazie sześciennej, w szczególności trójskladnikowego stopu BSb₁₋ₓNₓ i jego dwuskladnikowego związku BSb. Glównym celem bylo przewidzenie ich wlaściwości strukturalnych, elektronicznych i optycznych. Obliczenia zostaly wykonane za pomocą kodu WIEN2k przy użyciu metody FP-LAPW w ramach teorii funkcjonalu gęstości (DFT). Zastosowano kilka przybliżeń potencjalu korelacji wymiany, takich jak PBE-GGA, PW-LDA, PBEsol-GGA, WC-GGA i TB-mBJ.Ewolucja parametrów strukturalnych, w szczególności parametru sieci, modulu ściśliwości i energii przerwy, byla badana w funkcji skladu. Zaobserwowano odchylenie od prawa liniowości. Zastosowanie przybliżenia TB-mBJ poprawilo opis struktury pasmowej, z wynikami zbliżonymi do danych eksperymentalnych. Wlaściwości optyczne, takie jak wspólczynnik zalamania światla i stala dielektryczna, zostaly również określone i wykazaly dobrą zgodnośc z wynikami eksperymentalnymi i teoretycznymi.

Also in

Physics