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Elaboration des nitrures de gallium avec traitement si/n

Elaboration des nitrures de gallium avec traitement si/n

Paperback

Series: Omn.Univ.Europ.

Literary CriticismAstronomy & Space

ISBN10: 6131597278
ISBN13: 9786131597275
Publisher: Ed Universitaires Europeennes
Published: Feb 28 2018
Pages: 160
Weight: 0.54
Height: 0.37 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: French
Le traitement Si/N, lors de l'élaboration du GaN à haute température et à pression atmosphérique par Epitaxie en Phase Vapeur par pyrolyse d'OrganoMétalliques (EPVOM), améliore nettement la qualité morphologique, électrique, structurale et optique. Le mode de croissance observé est un passage de 3D à 2D au cours de l'épaississement de la couche de GaN. Par la suite un dopage de type p et n dans GaN est réalisé en utilisant respectivement le magnésium et le silicium, conduisant ainsi à une homojonction p/n pour fabriquer une diode électroluminescente bleue. Pour augmenter son rendement optique, une intercalation de puits quantiques InGaN est effectuée.

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