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Dopage de type p du zno

Dopage de type p du zno

Paperback

Series: Omn.Univ.Europ.

Literary CriticismPhysics

ISBN10: 613158480X
ISBN13: 9786131584800
Publisher: Omniscriptum
Published: Feb 28 2018
Pages: 240
Weight: 0.79
Height: 0.55 Width: 6.00 Depth: 9.00
Language: French
L'objectif de cette thèse a été l'étude du dopage p dans les couches minces et les nano-fils de ZnO, élaborés par la technique MOCVD. Les échantillons ont été caractérisés par SIMS, MEB, TEM, RX, Raman, PL, effet Hall, I(V) et C(V). Les mesures électriques montrent que les couches dopées azote restent de type n même après avoir subi des traitements thermiques. Des signatures optiques des dopants sont néanmoins observées par photoluminescence et Raman: l'incorporation de l'azote se traduit par la présence des niveaux donneurs-accepteurs (DAP) observés par PL et des modes LVM en Raman. La bande DAP est sont beaucoup plus intense en dopant avec l'antimoine (Sb) qui s'incorpore facilement dans la matrice ZnO atteignant ainsi une concentration de l'ordre de 1020 at.cm-3. Nous avons réussi à réaliser des structures de diode ZnO: Sb/ZnO ayant les caractéristiques de jonction PN.

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Physics